Indicadores de rendimiento de los módulos de memoria

Hay cuatro indicadores de rendimiento para evaluar los módulos de memoria:
(1) Capacidad de almacenamiento: se refiere a la cantidad de información binaria que un módulo de memoria puede contener, como la capacidad de almacenamiento de 168 módulos de memoria de línea de uso común, que generalmente son de 32 MB, 64 MB y 128 MB. DDRII3 generalmente varía de 1 GB a 8GB.
(2) Velocidad de acceso (ciclo de almacenamiento): se refiere al tiempo más corto requerido entre dos operaciones de acceso independientes, también conocidas como ciclo de almacenamiento. El ciclo de acceso de la memoria de semiconductores es generalmente entre 60 nanosegundos y 100 nanosegundos.
(3) La confiabilidad de la memoria: la confiabilidad de la memoria se mide por el tiempo promedio entre fallas, que puede entenderse como el intervalo de tiempo promedio entre dos fallas.
(4) Relación de precios de rendimiento: el rendimiento incluye principalmente tres aspectos: capacidad de memoria, ciclo de almacenamiento y confiabilidad. La relación de precios de rendimiento es un indicador integral que tiene diferentes requisitos para diferentes tipos de memoria.